SK keyfoundry推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)工艺

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SK keyfoundry推出具备高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)工艺

2025-09-25 18:06 来源：北京之窗阅读次数：4807

韩国首尔2025年9月23日 /美通社/ -- 韩国8英寸纯晶圆代工厂SK keyfoundry今日宣布推出具备业界领先高击穿电压特性的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)电容工艺。

数字隔离器的高击穿电压特性可增强半导体器件的安全性与可靠性，同时延长器件的使用寿命并提升抗噪能力。新型多层厚金属间电介质 (Thick IMD)工艺支持堆叠最多三层IMD，每层最大厚度达6微米，从而在金属-绝缘体-金属(MIM)结构中，总厚度最高可达到18微米。该工艺可提供高达19,000V的击穿电压特性及优异电容性能，预计将用于制造数字隔离用电容器，以及电子电路中抑制电容耦合的电容器。

采用此工艺制造的电容已成功通过主要客户的经时介电层击穿(TDDB)评估，并符合AEC-Q100国际汽车半导体质量标准，确保在严苛环境下实现高可靠性运行。该工艺尤其可集成到0.13微米及0.18微米BCD工艺技术中，在汽车半导体领域具备极高的应用价值。此外，SK keyfoundry还提供PDK（工艺设计套件）、DRC（设计规则检查）、LPE（版图寄生参数提取）、LVS（版图与电路原理图一致性检查）及Pcell（参数化单元）等设计支持工具，助力客户加速产品开发进程。

SK keyfoundry强调，在电动汽车、工业、通信及医疗保健等领域，部分电子设备对高抗噪能力有明确要求，与基于传统光隔离器的设备相比，此项数字隔离技术将在性能、可靠性、集成度及成本效益方面形成显著竞争优势。

SK keyfoundry首席执行官Derek D. Lee表示："我们很高兴推出业界领先的用于数字隔离器的多层厚金属间电介质 (Thick IMD)工艺技术，该技术正受到电动汽车等电子行业领域的广泛关注。凭借相比竞争对手更出色的大规模量产经验，SK keyfoundry将持续开发高可靠性隔离技术，不仅为韩国国内客户，还将为包括美国、中国大陆和台湾地区在内的海外客户提供世界级工艺技术，满足客户的多样化需求。"

责任编辑：小美